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晶体管
DNBT8105-7参考图片

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DNBT8105-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A
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库存:539,741(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DNBT8
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DNBT8105-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.379
10:¥8.6106
25:¥7.1416
100:¥6.5314
250:¥6.0794
2,000:¥6.0794
参考库存:31329
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
1:¥11.1418
10:¥9.2999
25:¥7.7631
100:¥7.0738
2,000:¥7.0738
参考库存:31334
晶体管
MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 12A - 9.5A
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:21769
晶体管
MOSFET 20V P channel MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.1527
100:¥2.147
500:¥1.4803
3,000:¥0.9831
9,000:查看
参考库存:66746
晶体管
MOSFET 55V 100Amp N channel Mosfet
1:¥13.8312
10:¥12.2944
100:¥9.7632
500:¥7.5258
1,000:¥5.9438
参考库存:26743
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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