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晶体管
SIHD7N60E-E3参考图片

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SIHD7N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
3,000
¥6.7235
20170.5
6,000
¥6.4749
38849.4
9,000
¥6.2263
56036.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SIHD7N60E
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SIHD7N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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Rectron
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2,500:¥2.8363
5,000:¥2.5877
10,000:¥2.3617
25,000:¥2.3278
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Rectron
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MOSFET TO-92 MOSFET
4,000:¥1.08367
10,000:¥0.99101
24,000:¥0.97632
参考库存:34232

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