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晶体管
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MRF141G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
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¥1,207.3824
1207.3824
10
¥1,180.3415
11803.415
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
32 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
12 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
375-04
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
175 MHz
商标
MACOM
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF141G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPH3456-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
参考库存:23957
DMC3025LDV-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6046
参考库存:13639
NTLJD4116NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.6159
参考库存:210331
SSM6L35FE,LM
Toshiba
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
4,000:¥0.49946
参考库存:43643
PMV250EPEAR
Nexperia
晶体管
MOSFET 40V P-channel Trench MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:1145690

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