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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	达林顿晶体管
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO	120 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
集电极—基极电压 VCBO	140 V
最大直流电集电极电流	1 A
最大集电极截止电流	0.1 uA
Pd-功率耗散	1 W
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	ZTX705
封装	Bulk
直流电流增益 hFE 最大值	3000
高度	4.01 mm
长度	4.77 mm
宽度	2.41 mm
商标	Diodes Incorporated
集电极连续电流	- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	3000 at 10 mA at 5 V, 3000 at 100 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V
产品类型	Darlington Transistors
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	453.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPB60R099CP	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP	1:¥53.9462 10:¥48.7934 25:¥46.4882 100:¥40.341 1,000:¥30.5778 2,000:查看	参考库存:8053
DMN65D8LW-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K	1:¥3.5369 10:¥2.6894 100:¥1.4577 1,000:¥1.09836 3,000:¥0.94468 9,000:¥0.88366	参考库存:24075
TSM055N03EPQ56 RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N 80Amp 5,5mohm channel Mosfet	1:¥5.8421 10:¥4.9155 100:¥3.7064 500:¥2.7233 2,500:¥1.8645 5,000:查看	参考库存:29277
DMS3017SSD-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual N-Ch DIOFET VDSS 30V VGSS 20V	1:¥4.6895 10:¥3.8872 100:¥2.373 1,000:¥1.8419 2,500:¥1.5594	参考库存:4404
STD36P4LLF6	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package	1:¥8.0682 10:¥6.8817 100:¥5.2997 500:¥4.6782 2,500:¥3.277 10,000:查看	参考库存:29381