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晶体管
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RGT00TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N
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1
¥35.0413
35.0413
10
¥29.7416
297.416
100
¥25.8205
2582.05
250
¥24.5097
6127.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
277 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT00TS65D
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，RGT00TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPC8067-H,LQ(S
Toshiba
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BCW29,235
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10:¥1.2769
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1,000:¥0.3616
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:49476
SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
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MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
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10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.78
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DDTC115EE-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K100K
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10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:48675

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    50万现货SKU

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