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晶体管
C2M0160120D参考图片

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C2M0160120D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
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库存:11,972(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.0032
64.0032
100
¥61.5511
6155.11
500
¥58.6244
29312.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
17.7 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V, - 10 V
Qg-栅极电荷
32.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
4.1 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,C2M0160120D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
1:¥6.1472
10:¥5.1528
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
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1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
1,500:¥1.5029
参考库存:10376
晶体管
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1:¥3.4578
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:73518
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:43885
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
1:¥2.7685
10:¥2.0566
100:¥1.12209
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.72207
参考库存:28987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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