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晶体管
SUP40010EL-GE3参考图片

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SUP40010EL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-220
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库存:4,287(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.9729
22.9729
10
¥19.0518
190.518
100
¥15.6731
1567.31
250
¥15.2098
3802.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.47 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
230 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
174 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SUP40010EL-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:6762
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:171484
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A
1:¥1,722.7528
5:¥1,681.2592
10:¥1,639.5396
25:¥1,616.5554
参考库存:1871
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:6773
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥61.3929
10:¥55.5508
25:¥52.9405
100:¥45.9458
参考库存:2975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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