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晶体管
NVATS4A103PZT4G参考图片

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NVATS4A103PZT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET P-Channel -30 V
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库存：33,044(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥8.5315
85.315
100
¥6.5427
654.27
500
¥5.7856
2892.8
3,000
¥4.0454
12136.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
145 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
400 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，NVATS4A103PZT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
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1:¥12.4526
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4128
参考库存:2307
IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.311
3,000:¥5.311
参考库存:7709
IRL2910STRRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
500:¥13.447
800:¥13.447
参考库存:6566
STP33N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥28.5099
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
参考库存:2498
STD19N3LLH6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:13125

  • 海量现货

    50万现货SKU

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