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晶体管
NGTB50N60S1WG参考图片

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NGTB50N60S1WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FSII 50A 600V Welding
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库存:3,405(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.5616
45.5616
10
¥38.7251
387.251
100
¥33.5045
3350.45
250
¥31.8095
7952.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
417 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB50N60S1WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥64.7716
10:¥58.3193
25:¥53.0987
50:¥49.2567
参考库存:24967
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A DUAL
1:¥1,590.5089
5:¥1,552.2471
10:¥1,513.6689
25:¥1,492.4588
参考库存:24972
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
暂无价格
参考库存:24977
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥1.00683
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.27685
参考库存:24982
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:24987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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