T2G6000528-Q3详细信息_T2G6000528-Q3相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	650 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	-
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	12.5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
应用	Military Radar, Professional and Military Radio Communications
配置	Single
工作频率	DC to 6 GHz
系列	T2G
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors
零件号别名	1099997

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMC2400UV-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF	1:¥2.9945 10:¥1.9436 100:¥0.83733 1,000:¥0.63732 10,000:¥0.43053 20,000:查看	参考库存:751690
SMBT2222AE6327HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A	1:¥1.5368 10:¥1.05316 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 3,000:¥0.23843	参考库存:169622
NGTB50N65S1WG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 FSII 650V 45A WELDING	1:¥24.973 10:¥21.2101 100:¥18.3625 250:¥17.4472	参考库存:3144
APTGT75DA60T1G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	1:¥349.0118 5:¥337.2485 10:¥326.344 25:¥301.7552	参考库存:3306
RD3L140SPFRATL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252	1:¥10.0683 10:¥8.6106 100:¥6.6331 500:¥5.8647 1,000:¥4.6217 2,500:¥4.1019	参考库存:15573