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晶体管
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PMDXB550UNEZ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 30V Dual N-Channel Trench MOSFET
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.2374
22.374
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.91417
914.17
5,000
¥0.78422
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1010B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
590 mA
Rds On-漏源导通电阻
670 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.05 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.03 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
600 mS
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
1.290 mg
商品其它信息
优势价格,PMDXB550UNEZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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