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晶体管
AFT05MS003NT1参考图片

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AFT05MS003NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥24.2837
24.2837
10
¥22.2836
222.836
25
¥20.2835
507.0875
100
¥18.2156
1821.56
1,000
¥13.673
13673
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 30 V
增益
20.8 dB
输出功率
3.2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
30.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935312585147
单位重量
50.800 mg
商品其它信息
优势价格,AFT05MS003NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥1,858.2963
5:¥1,813.5822
10:¥1,768.5517
25:¥1,743.7256
参考库存:4503
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 20V NPN
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
1,000:¥5.7404
参考库存:6750
晶体管
MOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K
1:¥2.2261
10:¥1.5481
100:¥0.64523
1,000:¥0.44522
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:304382
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3054
10:¥5.2545
100:¥3.39
1,000:¥2.712
2,500:¥2.712
参考库存:16934
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
1:¥58.5566
10:¥52.9405
25:¥50.4884
100:¥43.7988
参考库存:7361
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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