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晶体管
ZXT12N20DXTA参考图片

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ZXT12N20DXTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 20V NPN
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.831
98.31
100
¥7.91
791
500
¥6.9269
3463.45
1,000
¥5.7404
5740.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MSOP-8
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
160 mV
最大直流电集电极电流
3.5 A
增益带宽产品fT
112 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT12
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 2 V
高度
0.95 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.1 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 3.5 A, 2 V, 40 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
870 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格，ZXT12N20DXTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKW40N120T2FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
1:¥65.1558
10:¥58.9408
25:¥56.1723
100:¥48.7934
参考库存:21964
RF4E100AJTCR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 30V 10A Si MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
3,000:¥2.26
参考库存:31081
FC6B22160L1
Panasonic
晶体管
MOSFET WL-CSP Dual Nchannel MOSFET
1:¥9.6841
10:¥8.6106
100:¥6.7687
500:¥5.2432
1,000:¥4.0228
参考库存:9903
BSS670S2LH6327XT
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:187390
DMC2041UFDB-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:15447

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    50万现货SKU

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