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晶体管

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FT150R12KE3G_B4

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库存:25,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,627.3921
1627.3921
5
¥1,588.2828
7941.414
10
¥1,548.7893
15487.893
25
¥1,527.1159
38177.8975
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FT150R12KE3GB4BDLA1 SP001505398
商品其它信息
优势价格,FT150R12KE3G_B4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15V NPN 0.5A
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.49946
20,000:查看
参考库存:88586
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
1:¥21.7412
10:¥17.9783
100:¥14.8256
800:¥14.8256
参考库存:5818
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
1:¥4.5313
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:19375
晶体管
MOSFET 30V 0.6Ohm
1:¥10.7576
10:¥10.6785
25:¥8.9157
100:¥8.1473
参考库存:8767
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
1:¥82.829
10:¥74.8399
25:¥71.3821
100:¥62.0144
参考库存:24379
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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