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晶体管
TP2635N3-G P003参考图片

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TP2635N3-G P003

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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库存:27,989(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥8.3733
83.733
25
¥6.9947
174.8675
100
¥6.3054
630.54
250
¥5.876
1469
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
350 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TP2635N3-G P003的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 15W NPN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.1696
1,000:¥1.6837
2,500:¥1.4351
参考库存:19404
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:7136
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 50MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:51318
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:20600
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.4917
100:¥2.0001
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:30092
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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