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晶体管
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IPZA60R060P7XKSA1

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1
¥52.5563
52.5563
10
¥47.4826
474.826
25
¥45.3356
1133.39
100
¥39.3466
3934.66
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
49 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
164 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
Power MOSFET
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPZA60R060P7 SP001707738
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6441DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
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2,500:¥7.4693
5,000:¥7.1868
10,000:¥6.9156
参考库存:32368

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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