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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SM-8
通道数量	4 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	3.1 A
Rds On-漏源导通电阻	180 mOhms, 330 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	1.3 W
配置	Quad
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	MOSFET Small Signal
系列	ZXMHC3A
晶体管类型	2 N-Channel, 2 P-Channel
类型	Enhancement Mode Dual Channel
商标	Diodes Incorporated
下降时间	2.3 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.3 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
单位重量	74 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RV3C002UNT2CL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch	1:¥3.2318 10:¥2.4182 100:¥1.3108 1,000:¥0.9831 8,000:¥0.791 24,000:查看	参考库存:75024
2SC2713-GR,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp	1:¥2.4634 10:¥1.5707 100:¥0.65314 1,000:¥0.44522 3,000:¥0.33787	参考库存:90766
NTD20P06LT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -60V -15.5A P-Channel	1:¥6.9947 10:¥5.7517 100:¥3.7064 1,000:¥2.9719 2,500:¥2.5086	参考库存:116958
SQJQ410EL-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified	1:¥24.3628 10:¥21.7412 100:¥17.8314 250:¥15.368 2,000:¥11.2209	参考库存:43570
TK60S06K3L(T6L1,NQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008	1:¥12.4526 10:¥9.9892 100:¥7.9891 500:¥6.9947 2,000:¥5.4014 4,000:查看	参考库存:23192