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晶体管
ZXMHC10A07T8TA参考图片

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ZXMHC10A07T8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
1,000
¥6.1359
6135.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms, 1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC, 3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.7 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMHC10
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.6 S, 1.2 S
下降时间
2.1 ns, 3.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns, 2.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns, 1.6 ns
商品其它信息
优势价格，ZXMHC10A07T8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:4605
IPL65R070C7
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.8616
10:¥51.4037
25:¥49.0194
100:¥42.5671
3,000:¥31.0411
参考库存:19212
SI7463DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:34764
2N2369A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥48.025
10:¥38.5782
100:¥35.1882
250:¥31.7304
参考库存:4831
BCP5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1639
参考库存:102218

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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