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晶体管
SIS110DN-T1-GE3参考图片

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SIS110DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.1471
41.471
100
¥3.1414
314.14
500
¥2.599
1299.5
1,000
¥2.0792
2079.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14.2 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
24 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SIS110DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-23 0.5A 80V VCEO
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:53566
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,500:¥1.03734
10,000:¥1.03734
参考库存:278233
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
1:¥1,281.8494
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晶体管
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1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.52206
20,000:查看
参考库存:32707
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60Vcbo 50Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
1:¥6.0681
10:¥5.2432
100:¥3.6386
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:7759
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    50万现货SKU

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