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晶体管
LSIC1MO170E1000参考图片

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LSIC1MO170E1000

  • Littelfuse
  • 新批次
  • MOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET
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数量单价合计
1
¥57.63
57.63
10
¥51.9461
519.461
25
¥47.3357
1183.3925
100
¥42.7253
4272.53
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AD-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.7 kV
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 5 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
LSIC1MO
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Littelfuse
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,LSIC1MO170E1000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Hfe 300-700
1:¥3.2996
10:¥2.9945
100:¥1.9775
1,000:¥0.66105
4,000:¥0.54579
8,000:查看
参考库存:28447
晶体管
MOSFET Low Power MCU; LCD 5x29, 16Kbyte ROM, TQFP100
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:28452
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:28457
晶体管
MOSFET TRENCHPLUS MOSFET
暂无价格
参考库存:28462
晶体管
IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
3,000:¥6.8365
6,000:查看
参考库存:28467
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    50万现货SKU

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