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晶体管
SQS401EN-T1_GE3参考图片

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SQS401EN-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified
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库存:485,986(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2997
52.997
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.5369
1768.45
3,000
¥3.5369
10610.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SQ
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
10.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36.5 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,SQS401EN-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
500:¥12.8368
参考库存:4582
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
500:¥19.1309
参考库存:14144
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥5.0059
参考库存:11041
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7MOHM
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8591
2,500:¥5.2997
5,000:查看
参考库存:14948
晶体管
MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥7.458
10:¥5.989
100:¥4.5539
500:¥3.7629
1,000:¥3.0171
3,000:¥2.7233
参考库存:24975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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