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晶体管
BSZ088N03MS G参考图片

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BSZ088N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:17,338(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.2319
52.319
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
5,000
¥2.2826
11413
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
零件号别名
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ88N3MSGXT SP000311509
商品其它信息
优势价格,BSZ088N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET NCH J-FET
1:¥3.6838
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
参考库存:37626
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS
1:¥10.5316
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:4278
晶体管
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF
1:¥4.1471
10:¥2.7233
100:¥1.5255
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:21650
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:13132
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:12909
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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