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晶体管
IPP60R070CFD7XKSA1参考图片

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IPP60R070CFD7XKSA1

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库存:11,660(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.4883
48.4883
10
¥43.7988
437.988
25
¥41.7196
1042.99
100
¥36.273
3627.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS CFD7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPP60R070CFD7 SP001617976
商品其它信息
优势价格,IPP60R070CFD7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET
1:¥6.6105
10:¥5.6387
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0171
2,500:¥3.0171
参考库存:15308
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥34.4198
10:¥29.2783
100:¥25.3572
250:¥24.0464
2,000:¥17.289
4,000:查看
参考库存:10065
晶体管
MOSFET P-CH/500V/2.1A 4.9OHM
1:¥8.4524
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
2,500:¥3.4465
10,000:查看
参考库存:5392
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
500:¥19.0518
参考库存:4484
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥8.5315
10:¥7.3224
100:¥5.6274
500:¥4.972
3,000:¥3.4804
9,000:查看
参考库存:77816
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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