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晶体管
IRF3710STRRPBF参考图片

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IRF3710STRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.232
3616
800
¥5.989
4791.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
57 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001561740
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF3710STRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 1A
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥7.7631
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
1,000:¥3.5708
参考库存:4639
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
参考库存:10386
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双极晶体管 - 预偏置 Single PNP-50V 150mW
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:55733
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥42.1829
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.4307
参考库存:15360
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    50万现货SKU

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