RN1301(TE85L,F)详细信息_RN1301(TE85L,F)相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1301
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
KSC5338DTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon	1:¥7.2998 10:¥6.2037 100:¥4.7686 500:¥4.2149	参考库存:8014
PEMB18,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7	1:¥3.0736 10:¥2.0566 100:¥0.86106 1,000:¥0.58421 4,000:¥0.46104	参考库存:23776
KSD261CGTA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor	1:¥2.0792 10:¥1.3673 100:¥0.56839 1,000:¥0.39211 2,000:¥0.30736	参考库存:92528
BSZ340N08NS3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3	1:¥4.6104 10:¥3.8759 100:¥2.4973 1,000:¥2.0001 5,000:¥1.695	参考库存:43280
IRFI530NPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC	1:¥9.1417 10:¥7.7631 100:¥5.989 500:¥5.2997 1,000:¥4.181	参考库存:17507