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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PTAB-5
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	30 A
Rds On-漏源导通电阻	6.4 mOhms, 1.95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	7.1 nC, 31 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	8 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.45 mm
长度	5 mm
系列	CSD87384M
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Synchronous Buck NexFET Power Stage
宽度	3.5 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	67 S, 240 S
开发套件	CSD87384MEVM-603
下降时间	7.6 ns, 8.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	56 ns, 49 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	14 ns, 29 ns
典型接通延迟时间	8.7 ns, 17.5 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TPC8062-H,LQ(CM	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V FET 18A 1.9W 2400pF	3,000:¥6.0907 6,000:¥5.8534 9,000:¥5.6274	参考库存:28871
TP0606N3-G-P003	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET	2,000:¥3.6725 4,000:¥3.3561 10,000:¥3.2657	参考库存:28876
DDTD142TU-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K	3,000:¥0.36838 9,000:¥0.31527 24,000:¥0.29945 45,000:¥0.27685	参考库存:28881
FCP11N60N-F102	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET FCP11N60N, in TO220 F102 T/F option	800:¥13.1419 1,600:¥10.9158 3,200:¥10.1474 5,600:¥9.7632	参考库存:28886
DZTA42-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 300V	2,500:¥1.11418	参考库存:28891