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晶体管
RM40N100LD-T参考图片

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RM40N100LD-T

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET D-PAK MOSFET
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库存:36,661(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.5369
8842.25
5,000
¥3.2318
16159
10,000
¥2.9493
29493
25,000
¥2.9041
72602.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
94 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
32 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,RM40N100LD-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
参考库存:6856
晶体管
MOSFET N-CH 30V 500MA
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:17238
晶体管
MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
3,000:¥6.8704
6,000:查看
参考库存:9325
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥83.3714
10:¥75.3032
25:¥71.8454
100:¥62.3986
参考库存:26825
晶体管
MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:14752
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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