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晶体管
LND150N3-G-P013参考图片

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LND150N3-G-P013

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库存:11,982(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.8985
38.985
25
¥3.2431
81.0775
100
¥3.0058
300.58
2,000
¥3.0058
6011.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
30 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 kOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Ammo Pack
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
1300 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
450 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
90 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,LND150N3-G-P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V 2A
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1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
9,000:¥0.95259
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1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:18660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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