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晶体管
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CGHV1F025S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
4 mm
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV1F025S-TB
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV1F025S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMHT6016LFJ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
3,000:¥5.6839
参考库存:21938
STD150N3LLH6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
2,500:¥7.0964
5,000:查看
参考库存:18690
DMN2005UFG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6046
参考库存:14942
VN0106N3-G P014
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥6.3732
10:¥5.2997
25:¥4.3844
100:¥4.0002
2,000:¥2.5764
参考库存:31514
VN4012L-G P014
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.0626
10:¥8.3733
25:¥6.9947
100:¥6.3054
250:¥5.876
2,000:¥5.876
参考库存:31519

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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