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晶体管
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CGHV1F025S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
4 mm
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV1F025S-TB
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV1F025S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI3469DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V
1:¥8.2942
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
3,000:¥3.5708
参考库存:16354
BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
5,000:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:69621
BSC022N04LS
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.2037
1,000:¥4.9042
5,000:¥4.9042
参考库存:89848
STP36NF06L
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:7875
SIRA54DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3506
500:¥5.4579
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:32172

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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