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晶体管
TK16C60W,S1VQ参考图片

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TK16C60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK16C60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，TK16C60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC848BHZGT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:42824
FJV3104RMTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V/100mA/47K 47K
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:16266
IRFZ44ESTRLPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
1:¥9.7632
10:¥8.3733
100:¥6.441
500:¥5.6952
800:¥4.4974
参考库存:4133
SSM3K318R,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET Small Signal Mosfet
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:192080
SI3477DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
1:¥6.7574
10:¥5.9438
100:¥4.6104
500:¥3.4578
1,000:¥2.8024
3,000:¥2.4747
参考库存:43397

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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