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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA044EM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA044EM

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PTRA094252FC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier	50:¥878.2021	参考库存:28966
PTRA093302FC-V1-R2	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier	250:¥768.40	参考库存:28971
2N5882	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor	100:¥282.2288 250:¥257.9564	参考库存:28976
2N5195 SL H	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W	1,300:¥4.5539 2,600:¥4.0454 10,400:¥3.8872	参考库存:28981
STB11NM60T4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp	1:¥26.668 10:¥22.6678 100:¥19.6733 250:¥18.6676 1,000:¥14.0572 2,000:查看	参考库存:28986