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晶体管
APTGLQ200H65G参考图片

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APTGLQ200H65G

  • Microsemi
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库存:33,840(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥1,114.7902
111479.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
270 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
680 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ200H65G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
4,000:¥3.1753
参考库存:18740
晶体管
MOSFET 30V N Chnl UMOS
1:¥10.6785
10:¥9.0626
100:¥7.006
500:¥6.1924
1,000:¥4.8816
参考库存:8402
晶体管
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
1:¥20.7468
10:¥17.6732
100:¥14.1363
500:¥12.3735
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:35374
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 11A 13.8mOhm 7.2nC
1:¥5.4579
10:¥4.5878
100:¥2.9606
1,000:¥2.3617
4,000:¥2.3617
参考库存:36056
晶体管
MOSFET N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:23853
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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