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晶体管

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APTGT400A120G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:33,680(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥1,622.3975
162239.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
560 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
1.785 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT400A120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
1:¥4.5313
10:¥3.7855
100:¥2.3052
1,000:¥1.7854
3,000:¥1.5255
参考库存:33985
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
2,500:¥5.9212
5,000:查看
参考库存:7862
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:77684
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥19.0518
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.3678
1,000:¥9.379
参考库存:9001
晶体管
MOSFET N-Channel 600V 4A
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3788
500:¥4.7573
1,000:¥3.7516
2,500:¥3.7516
参考库存:21698
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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