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晶体管
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PTFB090901FA-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：32,533(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥329.3385
16466.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
123 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB090901FA-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDC6321C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.3956
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.582
参考库存:59022
SIHJ240N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥22.0576
10:¥18.3625
100:¥14.2154
500:¥12.4526
3,000:¥9.605
6,000:查看
参考库存:17644
SIRC06DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥7.1416
10:¥5.9212
100:¥4.5426
500:¥3.8985
3,000:¥2.8815
6,000:查看
参考库存:32646
BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥6.9947
10:¥5.8195
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
5,000:¥2.5312
参考库存:26493
STB33N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
500:¥13.9894
1,000:¥11.8311
参考库存:7650

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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