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VS-GB200TH120U

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数量单价合计
12
¥3,364.8236
40377.8832
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
在25 C的连续集电极电流
330 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.316 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GB200TH120U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMA266030R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
24,000:¥0.66896
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ZXMN2088DE6TA
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3,000:¥2.2148
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3,000:¥2.3165
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DRC3114W0L
Panasonic
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10,000:¥0.47686
20,000:¥0.45313
参考库存:33956
BUK7K8R7-40E
Nexperia
晶体管
MOSFET 40V Mosfet Dual N-Channel
暂无价格
参考库存:33961

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