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晶体管

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VS-GB200TH120U

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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库存:28,877(价格仅供参考)
数量单价合计
12
¥3,364.8236
40377.8832
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
在25 C的连续集电极电流
330 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.316 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB200TH120U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT PNP -0.15A -50V
1:¥1.3108
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:45372
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥16.9839
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
2,500:¥8.3733
参考库存:11729
晶体管
MOSFET 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
1:¥13.673
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
4,800:¥6.0455
9,600:查看
参考库存:185891
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
参考库存:107053
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 45V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:34410
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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