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晶体管
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CSD17555Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1981
3599.05
2,500
¥5.5596
13899
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17555Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,CSD17555Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 60V 200W NPN
1:¥49.4036
10:¥44.7254
50:¥42.5671
100:¥36.9623
参考库存:3417
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE NPN SMT
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:6624
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:85481
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH 30V 40A
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9721
500:¥6.1698
1,000:¥4.8703
1,500:¥4.8703
参考库存:16183
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1:¥7.0738
10:¥5.6161
100:¥3.8194
500:¥3.5143
1,000:¥3.0171
参考库存:5985
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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