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晶体管
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PTFB090901EA-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥329.3385
16466.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
123 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB090901EA-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPAN70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥5.9438
100:¥3.8307
1,000:¥3.0736
参考库存:6141
NTHL040N65S3F
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
1:¥71.077
10:¥64.2405
25:¥61.246
100:¥53.1778
参考库存:9543
BC848B-G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIGNAL TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.79891
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:9870
2SA2205-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 100V
1:¥6.6896
10:¥5.5822
100:¥3.6047
700:¥2.8815
参考库存:11532
BCR148WH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:189500

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