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晶体管
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NGTB20N120IHWG

  • ON Semiconductor
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  • IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
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数量单价合计
1
¥33.7305
33.7305
10
¥28.6568
286.568
100
¥24.8148
2481.48
250
¥23.5944
5898.6
500
¥21.131
10565.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
341 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，NGTB20N120IHWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZTA77 TR
Central Semiconductor
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达林顿晶体管 PNP Darlington Trans 60Vces 10Vebo 2W
3,000:¥2.0792
10,000:¥2.0001
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参考库存:31197
SK8603180L
Panasonic
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
3,000:¥3.0962
参考库存:31202
STB36NF06LT4
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MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:14245
AFT21S230-12SR3
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3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:31214

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