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晶体管
NGTB20N120IHWG参考图片

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NGTB20N120IHWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
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库存:3,219(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.7305
33.7305
10
¥28.6568
286.568
100
¥24.8148
2481.48
250
¥23.5944
5898.6
500
¥21.131
10565.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
341 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB20N120IHWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
2,500:¥2.5877
10,000:查看
参考库存:45147
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:9924
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr SW
1:¥20.5886
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:8381
晶体管
MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
1:¥17.515
10:¥14.5205
100:¥11.30
500:¥9.831
1,000:¥8.2264
2,500:¥8.2264
参考库存:25198
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥32.1146
10:¥25.7414
100:¥23.4362
500:¥18.984
1,000:¥15.9782
参考库存:6435
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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