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晶体管
BSC0901NSATMA1参考图片

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BSC0901NSATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存:47,644(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3675
536.75
500
¥4.746
2373
1,000
¥3.7516
3751.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
零件号别名
BSC0901NS BSC91NSXT SP000800248
商品其它信息
优势价格,BSC0901NSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PQMD3/DFN1010B-6/REEL 7" Q2/T3
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
5,000:¥0.42262
参考库存:29147
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:7299
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
参考库存:19826
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0286
5,000:¥5.2206
10,000:查看
参考库存:83158
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
1:¥28.0466
100:¥26.9731
500:¥25.6623
参考库存:10645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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