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晶体管
STD130N4F6AG参考图片

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STD130N4F6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
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库存：11,463(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.1362
6068.1
2,500
¥9.379
23447.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
143 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD130N4F6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
19.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
62.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
19.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD130N4F6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIS892DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
1:¥14.3736
10:¥12.7577
100:¥10.1474
500:¥7.91
1,000:¥6.3732
3,000:¥5.9099
参考库存:70137
2SD2153T100W
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.4182
1,000:¥1.8758
2,000:¥1.5933
参考库存:4029
FF300R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 ELECTRONIC COMPONENT
1:¥1,133.8533
5:¥1,106.5751
10:¥1,079.0596
25:¥1,063.9289
参考库存:1661
DTC123YCAT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35428
FDMS86550
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FET 60V 1.65 MOHM PQFN56
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
3,000:¥15.368
参考库存:15945

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    50万现货SKU

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