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晶体管

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APTGT150DH120G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:28,148(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥893.4232
89342.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
220 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT150DH120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.893
2,500:¥6.893
参考库存:864963
晶体管
MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.78
250:¥6.0794
2,500:¥3.842
5,000:查看
参考库存:29229
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans
4,000:¥1.8871
10,000:¥1.808
24,000:¥1.7402
50,000:¥1.7176
参考库存:29234
晶体管
MOSFET 650V 7A Single N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥5.0624
6,000:¥4.8138
10,000:¥4.7008
参考库存:29239
晶体管
MOSFET 800V 8A N Channel Mosfet
4,000:¥10.0683
5,000:¥9.6841
参考库存:29244
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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