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晶体管
IPP041N12N3GXK参考图片

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IPP041N12N3GXK

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
500
¥26.8149
13407.45
1,000
¥22.5887
22588.7
2,500
¥21.5152
53788
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
G IPP041N12N3 IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP041N12N3GXK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 160V 1.5A
1:¥5.537
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
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5:¥171.5114
10:¥159.8272
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1:¥4.9946
10:¥4.0906
100:¥2.486
700:¥1.9323
2,100:¥1.6498
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS PNP 100V 8A DPAK
1:¥5.0737
10:¥3.729
100:¥2.7685
500:¥2.3391
2,500:¥1.6046
5,000:查看
参考库存:11574
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
2,000:¥1.7741
参考库存:6701
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    50万现货SKU

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