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晶体管
IRLML6401TRPBF参考图片

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IRLML6401TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.3673
136.73
1,000
¥1.02152
1021.52
3,000
¥0.88366
2650.98
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
10 nC
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001577044
单位重量
1.400 g
商品其它信息
优势价格，IRLML6401TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SD1760TLP
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 50V 3A
1:¥7.0738
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
2,500:¥2.5425
参考库存:28161
2N6191
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥93.4397
250:¥85.2133
500:¥79.6876
1,000:¥73.0771
参考库存:28166
RJH60D6DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT, TO-3P
1:¥39.1093
10:¥34.8831
25:¥31.4253
50:¥29.9676
参考库存:28171
DRA2143E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:28176
2N5339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥299.0658
5:¥285.6188
10:¥276.7031
25:¥254.2613
参考库存:28181

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