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晶体管
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TGF2160

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
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数量单价合计
100
¥132.7072
13270.72
300
¥124.0175
37205.25
500
¥115.9493
57974.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10.4 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
517 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
619 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
32.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098617
商品其它信息
优势价格,TGF2160的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 230V 15A 150W
1:¥24.8939
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
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晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.6517
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
参考库存:3673
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
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晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:169332
晶体管
MOSFET 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
1:¥26.2047
10:¥23.2102
100:¥19.0518
250:¥17.5941
800:¥12.5995
2,400:查看
参考库存:351239
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    50万现货SKU

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