DDTB122TU-7-F详细信息_DDTB122TU-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	220 Ohms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTB122
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPS80R1K4P7AKMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥7.1416 10:¥6.1133 100:¥4.7008 500:¥4.1471	参考库存:5973
TPN4R712MD,L1Q	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI	1:¥6.0681 10:¥4.6443 100:¥2.9945 1,000:¥2.3956 5,000:¥2.034	参考库存:65685
ULN2003D1013TR	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Seven NPN Array	1:¥3.9211 10:¥3.2092 100:¥1.9549 1,000:¥1.5142 2,500:¥1.2882	参考库存:640592
MMRF1014NT1	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1014N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP	1:¥99.0445 10:¥91.0554 25:¥87.0552 100:¥76.9191	参考库存:5339
IPI60R099CPA	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CPA	1:¥54.0931 10:¥48.8725 25:¥46.6464 100:¥40.4992	参考库存:6036