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晶体管
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A2T08VD020NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD020N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
64 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.1 dB
输出功率
2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-24
封装
Reel
工作频率
728 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935322283528
单位重量
399.600 mg
商品其它信息
优势价格，A2T08VD020NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7434DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.8938
10:¥18.984
100:¥15.6731
250:¥15.142
500:¥13.6052
3,000:¥13.6052
参考库存:14840
IRLB3036PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
1:¥28.815
10:¥24.5097
100:¥21.2892
250:¥20.1366
500:¥18.0574
参考库存:14512
SQD70140EL_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.7574
500:¥5.2432
2,000:¥3.7403
4,000:查看
参考库存:176784
IPP086N10N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:8681
FDMC86261P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FET 150V 160.0 MOHM MLP33
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:26208

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    50万现货SKU

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