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晶体管
IPB80N03S4L-03参考图片

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IPB80N03S4L-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2885
728.85
500
¥6.441
3220.5
1,000
¥5.085
5085
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB8N3S4L3XT SP000274982
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB80N03S4L-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IAUS165N08S5N029ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥28.8941
10:¥24.5888
100:¥21.2892
250:¥20.2044
1,800:¥14.5205
3,600:查看
参考库存:5601
APT85GR120JD60
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥394.8785
5:¥381.5897
10:¥369.2162
25:¥341.3956
参考库存:5173
NVMFS5C604NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
5,000:¥11.9102
参考库存:29675
DMT6004SPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
2,500:¥5.5709
参考库存:29680
PBSS4140U,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:55115

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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