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晶体管
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APT85GR120JD60

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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数量单价合计
1
¥394.8785
394.8785
5
¥381.5897
1907.9485
10
¥369.2162
3692.162
25
¥341.3956
8534.89
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.5 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
Pd-功率耗散
595 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APT85GR120JD60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3019
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥137.5436
10:¥124.9441
25:¥115.6442
50:¥109.3388
参考库存:5313
TK42E12N1,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:查看
参考库存:4965
IPB60R160C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
1,000:¥13.6052
2,000:查看
参考库存:9952
BSR18A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
暂无价格
参考库存:48181
AUIRF1010ZSTRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
800:¥9.7632
参考库存:5914

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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