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晶体管
AUIRF1010ZSTRL参考图片

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AUIRF1010ZSTRL

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
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库存:5,914(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.7524
19.7524
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
800
¥9.7632
7810.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
92 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001519002
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,AUIRF1010ZSTRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
1:¥380.358
5:¥371.8265
10:¥357.306
参考库存:1808
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 3-P
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:15435
晶体管
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 12A 410V
1:¥12.3735
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7574
1,000:¥5.7743
2,500:¥5.7743
参考库存:13697
晶体管
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥5,859.05
5:¥5,765.3843
参考库存:1614
晶体管
MOSFET Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥7.119
1,000:¥5.8986
2,500:¥5.4918
参考库存:26376
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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