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晶体管
FQD2N60CTM参考图片

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FQD2N60CTM

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库存:34,117(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.7517
57.517
100
¥3.7064
370.64
1,000
¥2.9719
2971.9
2,500
¥2.9719
7429.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD2N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
FQD2N60CTM_NL
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,FQD2N60CTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.3789
10:¥6.4636
100:¥4.9833
500:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.599
参考库存:14024
晶体管
MOSFET P-Channel
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:108826
晶体管
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
1:¥5.8421
10:¥4.8251
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,500:¥2.486
参考库存:19603
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULES 1700V 1000A
1:¥4,212.6739
5:¥3,958.7968
参考库存:1215
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
参考库存:3302
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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