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晶体管
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FQD2N60CTM

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库存:34,117(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.7517
57.517
100
¥3.7064
370.64
1,000
¥2.9719
2971.9
2,500
¥2.9719
7429.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD2N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
FQD2N60CTM_NL
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,FQD2N60CTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥167.5903
10:¥152.3692
25:¥140.9223
50:¥133.3174
参考库存:1967
晶体管
MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
50:¥23.8995
参考库存:2779
晶体管
MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
1:¥17.8992
10:¥16.2155
100:¥13.0628
500:¥10.1474
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:1706
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 4.8 mo FET
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
800:¥11.30
2,400:查看
参考库存:100623
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
3,000:¥7.8422
6,000:查看
参考库存:2660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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